ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در نانوساختارهای مبتنی بر نیمه هادی های مغناطیسی رقیق
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان
- author سحر کشاورز شاهورانی
- adviser صابر فرجامی شایسته علی اصغر شکری
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1385
abstract
چکیده ندارد.
similar resources
ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در ساختارهای نامتجانس Fe-MgO-Fe
In this paper, spin-dependent electrical transport properties are investigated in a single-crystal magnetic tunnel junction (MTJ) which consists of two ferromagnetic Fe electrodes separated by an MgO insulating barrier. These properties contain electric current, spin polarization and tunnel magnetoresistance (TMR). For this purpose, spin-dependent Hamiltonian is described for Δ1 and Δ5 bands in...
full textترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در اتصالات تونل زنی مبتنی بر لایه هایmgo
در این کار ما به مطالعه خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در یک سه لایه ای مغناطیسی می پردازیم. اتصالات تونلی (mtj) بعلت داشتن ویژگی های منحصر به فرد ازجمله مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا مورد توجه قرار گرفته اند. ساختار مورد بررسی به طور خاص fe-mgo-fe می باشد که به واسطه وجودfe بعنوان یک فرومغناطیس شاهد تغییر در انرژی الکتروستاتیکی ساختار باتغییر در حالتهای اسپینی اتم های مجاور بوسیله کوپل شدن ...
15 صفحه اولخواص ترابرد وابسته به اسپین در ساختارهای مغناطیسی
هدف از انجام رساله حاضر مطالعه خواص ترابردی در چند لایه ایهای مغناطیسی بود. در بین چند لایه ایهای مذکور اتصالات تونلی (mtj) fe/mgo/fe، بعلت داشتن مقاومت مغناطیسی (tmr) بالا، کاربردهای گسترده ای را در صنعت ذخیره اطلاعات پیدا کرده اند. یکی از عمده ترین مشکلات در مطالعه mtjهای fe/mgo/fe اختلاف زیاد بین مقاومت های مغناطیسی اندازه-گیری شده و محاسبه شده است. محاسبات مقاومت مغناطیسی ای بزرگتر از 1000%...
15 صفحه اولجرم مؤثر در نیمه هادی های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک
نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و mcd را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر ی...
full textبررسی ترابرد الکترونی وابسته به اسپین یک نانو ساختار متصل به دو هادی فرومغناطیس
در این پایان نامه به بررسی ترابرد وابسته به اسپین نانوساختارهای مغناطیسی از قبیل نانوسیم های فرومغناطیس، پادفرومغناطیس و فری مغناطیس پرداخته می شود. محاسبات در رهیافت بستگی قوی و با استفاده از روش تابع گرین انجام می شود. نتایج مربوط به یک نانوسیم فرومغناطیس نشان می دهد که وجود نقص مغناطیسی و افزایش تعداد آن احتمال چرخش اسپین الکترون عبوری را افزایش و چگالی حالت های سامانه را کاهش می دهد. بررسی ...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023